据国外媒体报道,近日英特尔美光IMFT邀请媒体参观了位于美国犹太州的25nm NAND闪存晶圆厂,该晶圆厂虽然和其他晶圆厂的内部结构和生产流程几乎一样,但是它却采用最新的25nm沉浸式光刻技术在300mm晶圆上生产更大容量更小体积的NAND 闪存。下面让我们一起随着记者的图片一起去感受IMFT 25nm闪存制造的过程。

IMFT 25nm生产厂位于犹他州一个背靠山脉的平地上

工厂结构图

操作间都是采用倒吸风式设计,以保证环境始终保持无尘净化间保持最高的微尘级别。

搬运和自动装载晶圆的FOUP

在300mm采用25nm技术光刻出的NAND闪存芯片

探访记者正拿着完成后的NAND 闪存晶圆拍照

IMFT 的25nm光刻室

晶圆光刻时需要的掩模

时刻监控光刻进程

光刻完成的300mm晶圆,虽然单晶圆上的NAND芯片数量一致,但是25nm技术让单位面积的容量翻了一倍。

近看25nm制程NAND闪存芯片

25nm制程闪存芯片体积大小

随着接口技术标准的提升,NAND闪存的速率将大幅提升